英飛凌IGBT模塊FZ400R12KS4 FF300R12KS4原裝現貨供應

IGBT模塊的特點：

IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場效應晶體管（MOSFET）和電力晶體管（GTR）相結合的產物。它具有輸入阻抗高、驅動功率小、開關損耗低、溫度特性好以及開關頻率高等特點。IGBT比GTR（或BJT）更為新穎。

IGBT模塊的擊穿電壓已達到1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A，最高工作頻率可達30～40kHz，以IGBT模塊為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10kHz以上，故電動機的電流波形比較平滑，電磁噪聲很小。IGBT模塊的缺點是斷態時的擊穿電壓較低（最大約3.3kV），功耗較大，電路較復雜.

IGBT模塊的基本特性

① 輸出特性IC-UCE。表示集電極電流IC與集電極-發射極之間電壓UCE的關系，參變量為柵極和發射極之間驅動電壓UGE，它是由飽和區、放大區、截止區組成。

② 轉移特性IC-UGE。表示集電極電流IC與柵極-發射極之間驅動電壓UGE的關系。

③ 動態特性。動態特性也就是開關特性，表示IGBT器件開關過程及開關時間參數，包括導通過程、導通、關斷過程、截止四種狀態。其中UGE為柵射極驅動電壓，UCE為集射極電壓，IC為集電極電流，ton為導通時間，toff為關斷時間。

英飛凌IGBT模塊KS4系列:

FF100R12KS4  FF150R12KS4  FF200R12KS4  FF300R12KS4

FZ400R12KS4  FZ600R12KS4  FF300R12KE3  FF400R12KE3

FF400R12KT3  FF200R12KT4  FF300R12KT3  FF300R12KT4

BSM300GB120DLC   FF300R12KE4  FF450R12KT3     FF450R12KT4

FF200R12KT3     FZ400R12KS4   FZ600R12KS4     FZ900R12KE4

FZ1200R12KF4   FZ1200R12KF5

全線供應

FF50R12RT4    FF75R12RT4   FF100R12RT4  FF150R12RT4 

FF200R12KT4   FF300R12KT4  FF450R12KT4  FF650R17IE4

FF1000R17IE4  FF1000R17IP4  FF1400R17IE4  FF1200R17KP4_B2

FF800R17KP4_B2  FF1000R17IE4D_B2  FF650R17IE4D_B2  FF450R17IE4

FF600R17ME4   FF450R17ME4  FF1200R12IE5 FF150R12KE3G

FF150R12KS4  FF150R12KT3G  FF200R12KE3  FF200R12KT3

FF200R12KT4  FF200R17KE3   FF300R07ME4_B11  FF300R12KS4

FF300R12KT3  FF300R12KT4   FF300R17KE3  FF450R06ME3

FF450R07ME4_B11  FF450R12KT4  FF450R12ME4  FF450R17ME4

FF600R12KE4  FF600R12ME4  FF600R12ME4_B72  FF600R12ME4A_B11  FF600R17ME4

英飛凌可控硅模塊：

DD151N12K  DD151N14K  DD151N16K   DD151N18K  DD151N20K  DD151N22K 

DD171N12K  DD171N14K  DD171N16K   DD171N18K  DD175N28K  DD175N30K

DD175N32K  DD175N34K　DD231N20K   DD231N22K  DD231N24K  DD231N26K 

DD260N12K  DD260N14K　DD260N16K   DD260N18K  DD261N22K  DD261N24K

DD261N26K  DD285N04K  DD285N06K   DD285N08K  DD350N12K  DD350N14K

DD350N16K  DD350N18K  DD435N28K   DD435N30K  DD435N32K  DD435N34K