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西門(mén)康IGBT模塊SEMIX303GD12E4C現(xiàn)貨供應(yīng)

2020-09-18瀏覽量:2554

西門(mén)康IGBT模塊SEMIX303GD12E4C現(xiàn)貨供應(yīng)

由于IGBT是一種電壓控制型功率器件,它所需驅(qū)動(dòng)功率小,控制電路簡(jiǎn)單,導(dǎo)通壓降低,且具有較大的安全工作區(qū)和短路承受能力。因此,目前IGBT已在中功率以上的電力電子系統(tǒng)中(如逆變器、變頻器、UPS電源)逐漸取代了MOSFET及BJT而成為功率開(kāi)關(guān)元件市場(chǎng)中的重要一員。然而如何有效地驅(qū)動(dòng)并保護(hù)IGBT則成為目前電力電子領(lǐng)域中的重要研究課題之一。在鐵路客運(yùn)系統(tǒng)中,隨著電氣化列車(chē)的普及,提高列車(chē)舒適度,設(shè)計(jì)高效的IGBT驅(qū)動(dòng)電路也成為列車(chē)輔助電源設(shè)計(jì)者的重要研究對(duì)象。一個(gè)具有保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路不但能在正常工作狀態(tài)下給IGBT提供所需的驅(qū)動(dòng)功率,在異常工作狀態(tài)下能起保護(hù)IGBT的作用,而且應(yīng)當(dāng)能使電力電子系統(tǒng)中的IGBT有很好的替換特性。因此高性能的驅(qū)動(dòng)電路是提高電子產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性,從而增強(qiáng)其競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵之一。本文根據(jù)實(shí)際的使用經(jīng)驗(yàn)著重介紹了應(yīng)用于電氣化列車(chē)輔助電源中的一種單電源IGBT的驅(qū)動(dòng)電路。 

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1.驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)和任務(wù):

驅(qū)動(dòng)電路就是將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào)按控制目標(biāo)的要求,轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 

開(kāi)關(guān)型功率器件的驅(qū)動(dòng)分為兩種形式:一是電流型驅(qū)動(dòng),如GTR ;二是電壓型驅(qū)動(dòng),如功率MOSFET、IGBT。無(wú)論是哪種驅(qū)動(dòng)電路,在設(shè)計(jì)時(shí)都必須考慮以下兩點(diǎn):最優(yōu)化驅(qū)動(dòng)特性和自動(dòng)快速保護(hù)。所謂最優(yōu)化特性就是以理想的控制極驅(qū)動(dòng)電流(或電壓、或兩者兼有) 去控制功率器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程,以提高開(kāi)關(guān)速度、減小開(kāi)關(guān)損耗;自動(dòng)快速保護(hù)則是在驅(qū)動(dòng)電路故障狀態(tài)下快速自動(dòng)地切斷控制極信號(hào),避免功率管遭到損壞,在主回路故障狀態(tài)時(shí)能及時(shí)自動(dòng)切斷與主回路的聯(lián)系的能力。本文介紹的為電壓型IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 IGBT是將MOSFET的高速易驅(qū)動(dòng),安全工作區(qū)寬同雙極性器件低飽和壓降結(jié)合的產(chǎn)物。它具有以下特點(diǎn):高的輸入阻抗,使之可采用通用低成本的驅(qū)動(dòng)線路;高速開(kāi)關(guān)特性;導(dǎo)通狀態(tài)的損耗低。在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí),主要考慮以下的參數(shù):IGBT的額定值;短路電流特性;感性負(fù)載的關(guān)斷特性;最大柵極發(fā)射極電壓;柵極輸入電容;安全工作區(qū)特性。 

2.驅(qū)動(dòng)電路的分類(lèi): 

    驅(qū)動(dòng)電路作為逆變電路的一部分,對(duì)逆變器和變頻器的三相或單相輸出有著巨大的影響。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)常用的一般有這樣幾種方式: 

(1) 分立插腳式元件的驅(qū)動(dòng)電路 

    分立插腳式元件組成的驅(qū)動(dòng)電路在80年代的日本和臺(tái)灣變頻器上被廣泛使用,主要包括日本(富士:G2,G5。三肯:SVS,SVF,MF.,春日,三菱Z系列K系列等)臺(tái)灣(歐林,普傳,臺(tái)安。)等一系列逆變器和變頻器。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展及貼片工藝的出現(xiàn),這類(lèi)設(shè)計(jì)電路復(fù)雜,集成化程度低的驅(qū)動(dòng)電路已逐漸被淘汰。 

(2) 光耦驅(qū)動(dòng)電路 

    光耦驅(qū)動(dòng)電路是現(xiàn)代逆變器和變頻器設(shè)計(jì)時(shí)被廣泛采用的一種驅(qū)動(dòng)電路,由于線路簡(jiǎn)單,可靠性高,開(kāi)關(guān)性能好,被歐美及日本的多家逆變器和變頻器廠商采用。由于驅(qū)動(dòng)光耦的型號(hào)很多,所以選用的余地也很大。驅(qū)動(dòng)光耦選用較多的主要由東芝的TLP系列,夏普的PC系列,惠普的HCPL系列等。本設(shè)計(jì)即為HCPL系列光耦驅(qū)動(dòng)電路。 

(3) 厚膜驅(qū)動(dòng)電路 

    厚膜驅(qū)動(dòng)電路是在阻容元件和半導(dǎo)體技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種混合集成電路。它是利用厚膜技術(shù)在陶瓷基片上制作模式元件和連接導(dǎo)線,將驅(qū)動(dòng)電路的各元件集成在一塊陶瓷基片上,使之成為一個(gè)整體部件。使用驅(qū)動(dòng)厚膜對(duì)于設(shè)計(jì)布線帶來(lái)了很大的方便,提高了整機(jī)的可靠性和批量生產(chǎn)的一致性,同時(shí)也加強(qiáng)了技術(shù)的保密性。現(xiàn)在的驅(qū)動(dòng)厚膜往往也集成了很多保護(hù)電路,檢測(cè)電路。應(yīng)該說(shuō)驅(qū)動(dòng)厚膜的技術(shù)含量也越來(lái)越高。 

(4) 專(zhuān)用集成塊驅(qū)動(dòng)電路 

    現(xiàn)在還出現(xiàn)了專(zhuān)用的集成塊驅(qū)動(dòng)電路,主要由IR的IR2111,IR2112,IR2113等,其它還有三菱的EXB系列驅(qū)動(dòng)電路。三菱的M57956,M57959等驅(qū)動(dòng)電路。

西門(mén)康IGBT模塊SEMIX系列:

SEMiX353GD176HDc     SEMiX402GAL066HDs     SEMiX402GB066HDs     SEMiX404GB12E4s

SEMiX404GB12Vs       SEMiX405TMLI12E4B     SEMiX405GARL07E3     SEMiX405MLI07E4

SEMiX452GAL126HDs    SEMiX452GB126HDs      SEMiX452GB176HDs     SEMiX453GD176HDc

SEMiX453GB176HDs     SEMiX453GAL12E4s      SEMiX453GAR12E4s     SEMiX453GB12E4Ip

SEMiX453GB12E4p      SEMiX453GB12E4s       SEMiX453GB12Vs       SEMiX453GD12E4c

SEMiX453GD12Vc       SEMiX453GAL17E4s      SEMiX453GB17E4Ip     SEMiX453GB17E4p

SEMiX453GB17E4s      SEMiX453GD17E4c       SEMiX503GB126HDs     SEMiX503GD126HDc

SEMiX603GB12Vs       SEMiX603GB12E4p       SEMiX603GB12E4Ip     SEMiX604GB126HDs

SEMiX223GD12E4c      SEMiX223GD12Vc        SEMiX251GD126HDs     SEMiX252GB126HDs

SEMiX252GB176HDs     SEMiX353GB126HDs      SEMiX353GD126HDc     SEMiX302GB066H

SEMiX302GB126HDs     SEMiX302GAL12E4s      SEMiX302GAR12E4s     SEMiX302GB12E4s

SEMiX302GB12Vs       SEMiX303GB12E4p       SEMiX302GB176HDs     SEMiX302GAL17E4s

SEMiX302GB17E4s      SEMiX303GB17E4s       SEMiX303GB12E4s      SEMiX303GB12Vs

SEMiX303GD12E4c      SEMiX303GD12Vc        SEMiX305TMLI17E4C    SEMiX305TMLI12E4B

SEMiX305GARL07E3     SEMiX305GD07E4        SEMiX305MLI07E4      SEMiX305GD07E4

SEMiX353GB176HDs

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西門(mén)康IGBT模塊型號(hào):

SKM50GB123D      SKM75GB123D      SKM100GB123D      SKM145GB123D  

SKM150GB123D     SKM200GB123D     SKM300GB123D      SKM400GB123D

SKM100GB125DN    SKM200GB125D     SKM300GB125D      SKM400GB125D

SKM200GAL125D    SKM400GAL125D    SKM200GAR125D     SKM400GAR125D

SKM600GA125D     SKM800GA125D     SKM22GD123D       SKM40GD123D    

SKM40GDL123D     SKM75GD123DL     SKM75GDL123D      SKM50GAL123D

SKM75GAL123D     SKM100GAL123D    SKM145GAL123D     SKM150GAL123D

SKM200GAL123D    SKM300GAL123D    SKM75GAR123D      SKM100GAR123D

SKM200GAR123D    SKM300GAR123D    SKM300GA123D      SKM400GA123D

SKM500GA123D     SKM195GB126D     SKM200GB126D      SKM300GB126D

SKM400GB126D     SKM600GB126D     SKM195GAL126D     SKM200GAL126D

SKM400GAL126D    SKM600GAL126D    SKM600GA126D      SKM800GA126D

SKM75GB128D      SKM100GB128D     SKM145GB128D      SKM150GB128D

SKM200GB128D     SKM300GB128D     SKM400GB128D      SKM145GAL128D

SKM300GAL128D    SKM400GAL128D    SKM145GAR128D     SKM400GAR128D

SKM300GA128D     SKM400GA128D     SKM500GA128D      SKM50GB12T4

SKM75GB12T4      SKM100GB12T4     SKM150GB12T4      SKM200GB12T4

SKM300GB12T4     SKM400GB12T4     SKM100GB12T4G     SKM150GB12T4G

SKM300GA12T4     SKM400GA12T4     SKM600GA12T4      SKM75GB124D

SKM100GB124D     SKM145GB124D     SKM150GB124D      SKM200GB124D

SKM300GB124D     SKM400GB124D     SKM300GA124D      SKM400GA124D

SKM500GA124D     SKM75GB128DE     SKM100GB128DE     SKM145GB128DE

SKM150GB128DE    SKM200GB128DE    SKM300GB128DE     SKM400GB128DE

北京中興博瑞科技有限公司經(jīng)營(yíng)范圍:

FERRAZ羅蘭熔斷器,BUSSMANN熔斷器,SIBA熔斷器,WESTCODE熔斷器,HINODE日之出熔斷器,英飛凌IGBT模塊,三菱IGBT模塊,西門(mén)康IGBT模塊,可控硅晶閘管模塊,CONCEPT驅(qū)動(dòng)板,ABB驅(qū)動(dòng)板,西門(mén)康IPM智能模塊等等

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