三菱IGBT模塊 _【第5代A系列】

性能特點(diǎn)

采用CSTBTTM硅片技術(shù)

飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小

比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15%

成本優(yōu)化的封裝

內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小

模塊內(nèi)部寄生電感小

功率循環(huán)能力顯著改善

應(yīng)用領(lǐng)域

適合中、低端變頻器產(chǎn)品設(shè)計(jì)

封裝尺寸

    94mm × 48mm         108mm × 62mm       110mm × 80mm         140mm × 130mm
IGBT Modules (A series)